Modeling
服务
我们为基于硅(Si 和 SOI)和 III-V (GaN-on-Si)的材料技术提供 PDK 支持。这种能力包括Compact建模,如 BSIM、BSIMSOI 和 ASM-HEMT。我们开发了自己的工具并优化算法,以便根据客户的需求达到特定的误差目标。
在提取参数后,我们会为各种非商业(Spice)或商业仿真器(ADS、HSPICE、Spectre 和 Eldo)定制模型。根据客户的需求,建模和拟合可用于DC, AC, RF 和/或谐波平衡仿真的验证.


建模类型
CMOS: BSIM 3/4/6, EKV, PSP
SOI: BSIM-SOI, PSP-SOI, HSIM-SOI
GaN: Angelov, MVSG, ASM-HEMT
领域
DC, AC, RF
闪烁噪声、热噪声
工艺角
衬底
线性和非线性
超低温和高温
测试结构设计
我们为测试结构提供完整的设计服务,从隔离元件到完整的测试芯片和用于模型提取的晶体管电池。
测试结构
无源元件
晶体管电池
SAW 和 BAW 滤波器
衬底测试
MEMS
CMOS, SOI and HEMT

疑问?
激情探索,挑战无限
Ask your questions and send your inquiries to challenge us, we are up to it.