我们的团队
Mostafa Emam, 博士
创始人及 CEO
Mostafa Emam（IEEE M'10, IEEE SM'16）于2001年获得埃及开罗艾因夏姆斯大学的电子和通信工程学士学位，2005年获得法国图卢兹国家理工学院（INP）的电子和信号处理工程师文凭，以及微电子电路和系统设计的硕士学位。2010年，他在比利时鲁汶大学（UCL）电子工程系信息和通信技术、电子和应用数学研究所（ICTEAM）获得工程科学博士学位.
2006年至2010年，他在UCL担任研究员，从事MOSFETs的宽带表征和建模工。
他的研究方向包括SOI器件在直流、射频、大信号和高频噪声、恶劣环境应用和机械应力条件下的特性和建模，以及射频SOI电路的设计和仿真。 Emam博士是IEEE高级会员，是40多篇科学文章和书籍章节的作者和合著者，也是多个IEEE期刊的评审员。从2015年到2018年，他担任技术主席（SubVt track），2019年担任IEEE国际S3S会议的总主席.
自2011年以来，他作为Incize的创始人，一直担任CEO的职务。Incize是一家从UCL成功孵化出来的创业公司，为所有业务领域的器件和材料提供创新的表征和建模服务.
Morin Dehan, 博士
技术总监
Morin Dehan分别于1999年和2003年在比利时新鲁汶天主教大学（Université Catholique de Louvain）获得了应用科学学士和博士学位。其研究活动专注于用于射频应用的SOI组件（电感器、场效应晶体管）。
2004年，他加入了位于比利时鲁汶的IMEC，参与了射频CMOS研究项目。随后，他负责先进技术节点的技术路径开发工具包（PDK）以及IMEC所有主要研发项目中的掩模设计，包括缩放CMOS、3D集成电路、硅光子学、存储器项目和先进光刻技术。
2017年，他加入了位于比利时布鲁塞尔的索尼公司深度感应解决方案（ Depth-Sensing Solution）项目，担任研究员和研发团队负责人，致力于多种深度感应技术的研究，如间接和直接飞行时间（ToF）技术。他还为激光雷达（LIDAR）开发、短波红外（SWIR）和多光谱应用的相关技术贡献了力量。
从2021年到2024年，他担任欧洲CanaanTek的欧洲设计中心总监，帮助建立了该公司在欧洲的首个设计中心。
Morin Dehan博士发布了超过60篇关于射频器件和基于硅技术的国际期刊和会议论文。
他还参与了7项已发布或提交申请的飞行时间（ToF）技术和系统领域的专利。
2024年4月，他加入Incize，担任表征团队负责人，现任Incize技术总监。
Marianne Renoz, 双硕士
商务总监
Marianne Renoz 于 2013 年在比利时新鲁汶天主教大学（Université Catholique de Louvain）获得第一个英汉法翻译硕士学位，随后在上海外国语大学攻读了一年的普通话（高级）课程。 随后，她继续深造，于 2015 年获得英国谢菲尔德大学东亚商务专业的第二个硕士学位，并于 2016 年获得布鲁塞尔伊切克管理学院的管理学文凭.
2017 年 1 月，在完成学业后，Marianne Renoz 作为业务发展部的实习生首次加入 Incize，并完成了开拓东亚市场的探索任务.
实习结束后，她在华为技术公司工作了三年多。与此同时，她还参加了电信技术与商务的远程学习课程。
2021 年 7 月，Marianne Renoz 再次加入 Incize，担任全职国际业务开发员。
Shizuna Jing Wu, 双硕士
国际业务发展经理
Shizuna Jing Wu 是 Incize 的国际业务发展经理。
加入 Incize 之前，她曾在清华启迪科技园欧洲创新中心任职（代理）首席运行官，主要负责管理该创新中心的业务发展并主导新业务的拓展。她还曾在中国知名的国际律师事务所工作，积累了丰富的并购经验。
她拥有荷语鲁汶大学（KU Leuven）国际经济学硕士学位，并且是布鲁塞尔自由大学比荷卢经济联盟投资专业的研究生。
Amin Rassekh, 博士
高级建模工程师
Amin Rassekh 于 2015 年获得伊朗德黑兰谢里夫理工大学电气工程电子学（微纳电子器件）理学硕士学位。2020 年，他从伊朗德黑兰大学器件仿真和建模实验室获得电气工程-电子学（固态电子学）博士学位。在攻读博士学位期间，他致力于先进 MOSFET 器件的建模、仿真和优化。
2019-2020 年，他作为交换博士生在瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）学习。在此期间，他在电子器件建模与技术实验室（Electron Device Modeling and Technology Laboratory，EDLAB）从事恶劣环境下场效应晶体管的建模工作，随后他加入了该学院的纳米电子器件实验室（Nanoelectronic Devices Laboratory，NANOLAB），专注于低功耗应用中不同类型先进 CMOS 器件的建模工作。2020年至2022年，他与EDLAB合作研究低功耗CMOS器件建模和基于CMOS的量子点自旋量子比特建模。
Rassekh 博士拥有一项美国专利，公开了一种通过片上互连实现光速通信的方法。他是同行评审期刊上多篇科学论文的作者和合著者，也是电气和电子工程师学会期刊的审稿人。
2022 年 11 月，他作为高级建模工程师加入了 Incize。
Ferran Ureña i Begara, 博士
高级研究员
Ferran Ureña i Begara 于1992年在西班牙巴塞罗那加泰罗尼亚理工大学的Escola Universitària d'Enginyeria Tècnica Industrial de Barcelona获得工业电子的技术工程学位。
1993年至2007年，他任职于西班牙巴塞罗那Pere Barnils de Centelles学院，教授计算机和电子技术，他也是计算机和网络系统的主管。2008年，他获得了英国纽卡斯尔大学电学和电子工程学院的微电子学硕士学位，2009年，他获得了西班牙贝拉泰拉的巴塞罗那自治大学高级工程学院的微纳米电子学硕士学位。他于2013年在英国纽卡斯尔大学电学和电子工程学院获得博士学位。 在博士期间，他致力于通过拉曼光谱和原子力显微镜（AFM）对硅纳米结构的应变进行建模和表征。
他的研究方向是通过使用光学和原子光谱技术，对微观和纳米尺度的内在材料特性进行建模和表征。
2017年1月，他加入Incize，担任高级研究员。
Gilles Scheen, 博士
高级工程师
在比利时列日大学获得了物理工程（光电子方向）硕士学位。2015年，他获得了比利时克卢万大学的微技术博士学位。他的博士研究重点是用于传感应用的多孔硅的后工序集成。在此期间，他在不同的科学杂志上发表论文，并参加了许多国际会议。
他的研究方向包括，用于各种应用的多孔硅集成，研究重点是射频微电子，（多孔）半导体表征的创新技术。
2019年9月，他作为高级工程师加入Incize。
Romain Tuyaerts, 博士
高级工程师
在比利时新鲁汶天主教大学（Université Catholique de Louvain）获得了物理工程的硕士学位（纳米技术）后，在2018年后又在UCLouvain获得材料科学博士学位，主要研究通过反应性溅射沉积的透明导电氧化物的微观结构、机械、光学和电学性能之间的耦合。
他目前的研究方向包括微加工技术，以及多孔硅在各种应用中的整合，如射频微电子。
2020年10月，他作为高级工程师加入Incize。
Khaled Aouadi, 硕士
高级表征工程师
于2003年在法国格勒诺布尔的ENSERG-INPG获得半导体元件的硕士学位，并于2005年在法国格勒诺布尔的Joseph Fourier大学获得科学和材料工程的硕士学位。
2004年4月至2004年9月，他在法国Crolles的STMicrolectronics实习。他在金属工艺研发团队工作：开发和测试用于接触金属化的新型低电阻率钨薄膜的工艺。
从2005年10月到2010年3月，他在突尼斯的意法半导体公司担任物理设计套件项目工程师。作为项目管理和质量负责人，他负责为各种技术（BiCMOS / HCMOS / SIGE / SOI）开发设计套件和布局验证，并确保最终产品的质量。
2010年4月至2013年7月，他在位于比利时新鲁汶的ICTEAM研究所担任研究工程师。他负责用于质子治疗光束监测的新型硅传感器的设计和工艺。并负责表征工作和在晶圆上的电学测量和质子束下的测试。自2018年8月起，他作为自由职业者，从事电学工程工作。
2019年12月，他加入Incize，担任射频工程师。
Mojtaba Alaei, 硕士
建模工程师
Mojtaba Alaei 于 2020 年在伊朗德黑兰理工大学获得电子工程（微纳电子器件方向）硕士学位。
自 2021 年至 2025 年，他在比利时根特大学攻读电子工程（微纳电子器件方向）博士学位，并与比利时鲁汶的 imec 紧密合作。他的博士研究主要聚焦于氮化镓（GaN）功率器件的物理、仿真、表征和建模，特别关注 p-GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）的静电分析与性能优化。
在攻读博士期间，他深入研究了宽禁带半导体器件物理，结合实验表征技术和先进的 TCAD 仿真方法，开展了大量研究工作。他的研究成果涵盖了静电建模、器件物理以及下一代 GaN 功率电子器件的紧凑模型开发。 他的广泛研究兴趣包括固态器件物理、半导体器件表征、先进微/纳电子器件的建模与仿真，以及面向功率和射频应用的新兴材料。他已在多个同行评审的期刊和会议上发表或合作发表论文，尤其是在 IEEE 的顶级期刊中表现活跃，并与学术界和工业界的合作伙伴密切合作，共同推动 GaN 功率器件技术的发展。
2025年9月,他加入Incize，担任建模工程师。
Clara Whyte Ferreira, 博士在读
初级工艺工程师
Clara Whyte Ferreira received, Clara Whyte Ferreira 于 2021 年获得巴西圣保罗大学（USP）和比利时鲁汶天主教大学（Université Catholique de Louvain）双学位项目的化学与材料工程专业的两个文凭。
在进入大学学习之前，她参加了为期三年的管理和创业技术课程，并于 2014 年获得了巴西贝洛奥里藏特 SEBRAE/MG 技术管理学院的文凭。
在本科学习期间，她融入了巴西南太平洋理工学院的初级企业，为期三年，并成为化学工程系的协调员。
2018 年至 2019 年期间，她在圣保罗大学开展了一个使用不同金属促进碳纳米管催化的研究项目。在该项目框架内，她在德国慕尼黑工业大学学习了四个月，以进一步开展研究。
在新鲁汶天主教大学，她在硕士论文框架内研究了硅膜在生物传感方面的应用。随后，她获得了鲁汶理工学院校友会颁发的最佳硕士论文奖。
2021 年 10 月，她作为博士生加入 Incize，研究如何利用纳米结构表面进行有机分子、生物标记物和其他分析物的质谱表征。
Fiona Bellin, 硕士
行政助理
Fiona Bellin 于2017年在法国卡昂大学获得心理学学士学位，并决定继续攻读英国莱斯特大学的远程职业心理学硕士学位。
她主要负责团队的后勤，并协助管理业务和团队，以及支持CEO的行政工。
2021 年 8 月，Fiona Bellin 加入 Incize，担任行政助理。
Laurent Petitjean, 硕士
初级表征工程师
Laurent Petitjean于 2019 年在比利时列日市的 “列日省高等理工学院 ”获得应用电子学学士学位，并于 2023 年在比利时列日市的 “列日省高等理工学院 ”获得电子学硕士学位。 2019 年 9 月至 2020 年 9 月，他在Teleste担任测试产品工程技术员，主要负责无源和室内产品系列的持续改进。 2023 年 9 月，他加入 Incize，担任初级表征工程师。
2019 年 9 月至 2020 年 9 月，他在Teleste担任测试产品工程技术员，主要负责无源和室内产品系列的持续改进。
2023 年 9 月，他加入 Incize，担任初级表征工程师。
Thibault Fiasse, 博士在读
初级工艺工程师
Thibault Fiasse 于 2024 年获得比利时新鲁汶大学（Université Catholique de Louvain）电气工程硕士学位，主修先进电子材料与器材。
2024 年 1 月至 5 月，他在鲁汶微电子研究中心（IMEC）担任实习研究员，并完成其硕士论文。这项工作是鲁汶大学与该研究所合作开发硅基高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaN 器件的合作项目的一部分，重点研究该器件的电热性能。
2025 年 1 月，他加入 Incize 担任博士生。
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