光学表征
光学表征对任何半导体技术的发展都起着至关重要的作用。Incize 可为各种半导体技术和各种样品提供多样化的光学测试服务。我们的测试是根据客户的具体要求定制的。
拉曼光谱
- 高分辨率共聚焦显微镜
- 800 mm 焦距
- 横向分辨率低于1μm
- 激光波长 458, 488, 514 & 633 nm
- 溫度 从-196°C 到 +600°C
- 图谱分析，包括化学成分、相位、结晶度和应变等
椭偏技术
- 宽光谱范围 从 280 nm 到 2500 nm
- 精确的薄膜厚度分析
- 单层和多层样品
- 光学参数的表征包括折射率、消光系数和介电常数。 种类繁多的材料：绝缘体(SiO2, Si3N4), 半导体 (Si, Ge, SiC) 和 金属 (Al, Ag, Au, Cu, Cr)
光电导
- 硅光的光电导和电阻测量 少数载流子密度和寿命 2 ... 1000 Ω/□
- 用于短载流子寿命的.. 10 ms
- QSS. 100 ns ... 10 ms
- T用于长载流子寿命的 TPCD
SEM
- 双光束 FIB-SEM 系统可利用离子铣削和离子束辅助沉积材料（C、W、Pt 或 SiO2）对器件进行纳米加工。扫描电镜柱可对设备进行原位表征。
- 分辨率：低至 10 nm
样品支架：最大为3寸晶圆
拉曼光谱
拉曼光谱是一种光学非破坏性表征技术，用于分析包括半导体和薄膜在内的众多材料，无需或仅需简单样品处理便可获得丰富的样品信息包括材料组分、掺杂浓度、物相组成以及应力应变等。
自从1928年C.V.拉曼爵士发现拉曼效应以来[1]，得益于激光技术的进步和高选择性滤光片的成功制造，拉曼设备得到了快速发展。时至今日，具有高分辨率的透镜、光栅和探测器的拉曼仪可以对微纳尺寸的材料和结构进行表征。
Incize将为您提供空间分辨率低至~1um的高分辨拉曼光谱表征服务。配备有四种波长的激光可供选择（458、488、514、633 nm），x-y-z三轴电动平台。可对多种材料的化学组分、物相组成、结晶度以及应力应变进行分析，包括半导体工业中最常用的材料（Si, Poly-Si, Ge, SiGe, GaN），二维材料（石墨烯，hBN），相变材料（VO2, V2O5, GeTe）和压电材料（LiNbO3, LiTaO3, ZnO）。同时，可在-196℃至600℃范围内进行不同温度下的拉曼测试。
[1] C.V. Raman and K.S. Krishnan, “A new type of secondary radiation”, Nature, vol. 121, pp. 501–502, 1928
椭偏技术
椭偏是一种非破坏性的光学技术，它测量薄膜或分层材料中特定角度入射光反射光之间的偏振状态的相对变化。通过对测量的光谱使用适当的拟合模型，可以确定几个材料参数，如层厚、折射率、光学吸收和消光系数。椭圆偏振法的测量非常精确，根据材料的不同，可以测量从几个埃（Å，1Å=0.1nm）到几个微米（um）的厚度。
包括多数绝缘体（SiO2, S3N4, ...）、半导体（Si, Ge, SiC, ...）和金属（Al, Ag, Au, Cu, Cr, ...）在内的大量材料可以使用280至2500纳米的光波长（紫外/可见/近红外）进行表征。
光电导
光电导是某些材料的特性，在吸收光的情况下，其导电性会发生变化。在典型的光电导实验中，通过用激光或闪烁的光照射样品，产生过剩载流子。该技术适用于测量硅光晶圆的光电导和电阻率，范围从2到1000Ω/□，也适用于提取少数载流子的密度寿命 (100 ns < τ < 10 ms)。
根据测试的电阻率和载流子寿命范围，可选择恒定光照（稳态），光脉冲（瞬时衰减），或光强随时间变化（准稳态）三种光源。
疑问?
激情探索，挑战无限
Ask your questions and send your inquiries to challenge us, we are up to it.