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电学表征服务

材料和衬底

 我们帮助研发了各种现存的RF 衬底技术

器件和电路

  我们在器件成为手机的一部分之前对其进行测试.

材料表征

 氧化物-衬底电荷

 平带电容和电压
 氧化物厚度
 有效和总体硅氧化物电荷
 衬底掺杂浓度

介质

介电常数
 损耗角正切

四探针

 薄膜电阻
 块体电阻率


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衬底表征


我们在硅(Si)和绝缘体上硅(SOI)衬底表征方面,包括高电阻率和富陷阱材料,拥有独家技术知识。


我们开发的测试结构设计,能够在不同的操作条件下精确地呈现出衬底的表现。


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 材料和样品


材料

硅基:体硅、SOI、富含陷阱、多孔硅、SiC、SiGe...

三五族化合物: 氮化镓、砷化镓 ...

电介质:石英、熔融石英  ...

压电材料:LiTaO3, LiNbO3, ZnO ...

二维材料:石墨烯,hBN ...

相变材料:VO2二氧化硫、GeTe ...


测试样品

 测试尺寸:从单颗芯片到300 mm 晶圆

形状: 小片晶圆或整个晶圆

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射频表征

大信号

  • 谐波失真(单频),互调失真(双频)以及功率容量
  • 输入功率高达49 dBm
  • 本底噪声 -170 dBm

小信号

  • S参数可高达 170 GHz
  • 最小频率低至5 Hz
  • 射频性能指标

5G毫米波

  •  大小信号
  •  适应性校准技术
  •  特定应用


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噪声测试

射频热噪声

  • 1 – 110 GHz
  • 低至0.2dB的NFmin
  • 可编程的微波调谐器
  • NFmin、Rn、Yopt和NF50的测试

 1/f闪烁噪声

  • 频率范围从0.03 Hz到40 MHz
  • 噪声测量低至0.67 nV/sqr(Hz) @ 10 kHz
  • 25个阻抗值,从0Ω 到100MΩ
  • 电流/电压/功率范围分别高达0.1 A/200 V/10 W
  • 支持的器件包括BJTs、FETs、二极管、电阻和电路(运算放大器、比较器等)

随机电报信号噪声(RTS, RTN)

  • 噪声的时域表示
  • 电流和电压柱状图
  • 支持的器件包括BJTs、FETs、二极管、电阻和电路(运算放大器、比较器等)
  • 最小2.5 ns 时间步长​
  • 采样量高达1600万个噪声


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 超低温测试

温度

  • 极低温可达-270°C (4 K)
  • 载片台温度最高可达225°C

RF 信号

  • S参数可达67 GHz
  • 最小频率低至5 Hz
  • 射频性能指标

直流电和交流电

  • 脉宽低至 100 ns 的脉冲 IV
  • 超低电压和电流
  • CV 测试


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设施设备


WELCOME 是一个拥有最先进设施,提供完整的表征服务解决方案的实验室。Incize 是其重要合作伙伴。Incize 的专家们每天都使用该实验室中最前沿、最先进的设备,为客户提供一流的测试服务,同时引进突破测试设备物理极限的创新解决方案。




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