研发

材料

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非接触式材料表征

  • 快速的SOI衬底线性度评估
  • 无需去除顶部硅
  • 无金属化
  • 光学和电磁技术的结合

压电

  • 弹性、介电和压电常数
  • 声速
  • 频率的温度系数
  • LiTaO3, LiNbO3, 石英

多孔硅

  • 制造
  • CMOS 集成
  • 力学和电学表征

相变材料

  • 电阻转换率
  • MIT参数
  • 滞后周期
  • VO2 , GeTe

SOI

  • 新的表征技术
  • 新的测试结构

氮化镓

  • 新应用的研究
  • 优值

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我们的研究项目解决了5G通信系统设计和表征方面的新挑战。我们研究了为满足5G标准的严格要求所需的新材料。相变材料、压电材料和III-V材料将被纳入新一代的前端模块中,这将是未来几年主流射频电子行业的一部分。我们的项目是为研究这些材料作为下一代衬底的一部分的性能而量身定做的,并开发适当的表征技术,去对标最先进的5G器件。

器件

射频-MEMS开关

  • 新型的可靠性表征技术
  • 材料和设计
  • 原型设计
  • 表征
  • 射频前端模块

谐振器、天线和滤波器

  • 品质因数、电容率、插入损耗
  • 新型表征技术
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该项目以RF-MEMS(射频微系统)为中心,旨在提高Incize在实验特性领域的技能。这个工业研究项目的结果是一个测试系统,它将有助于实现基于RF-MEMS的器件的必要的线性度和可靠性。

鉴于MEMS的异质性,测试系统必须尽可能完整,以便能够监测和收集器件的各种参数的最大数据。
这些参数与其不同特性的多个方面相联系:

  • 与MEMS薄膜有关的力学特性,如薄膜支撑力或薄膜形变。
  • 电学方面,例如与MEMS响应能力或传输信号的功率和完整性有关。
  • 与元件的可靠性和使用寿命有关的方面。这里主要是指薄膜的牢固性和薄膜可支持的响应次数。

在这个项目结束时,Incize将从RF-MEMS器件的复杂测试(电学、线性、力学、可靠性)方面积累知识。这些知识不仅可以开发出RF-MEMS器件测试服务,还可以为MEMS-RF器件的制造商提供商业测试解决方案,以加快生产线上的质量认证。

辐射

  • 剂量测定法
  • 数据分析的新方法
  • 仿真
  • 模型制作
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