电学表征
我们的专业知识、能使用到最先进的设备以及与欧洲各地实验室的合作，使我们能够为衬底生产商、设计公司和代工厂提供广泛的电学表征服务。从材料到器件，包括有源和无源、硅和三五族化合物、晶圆级和封装级，从直流到毫米波频率，我们的表征服务是针对特定应用的，并根据客户的要求进行“量身定制”。
射频
大信号
- 谐波（单音信号）、互调（双音信号）和功率处理
- 输入功率高达49 dBm
- 本底噪声 -170 dBm
小信号
- S参数可高达 130 GHz
- 5Hz以上低频
- 射频品质因数
5G毫米波
- 小信号&大信号
- 适应性校准技术
- 特定应用
温度
- 极低温可达到-270°C (4 K)
- 载片台温度，最高可达225°C
衬底表征
线性度
衬底FoM
互调
串扰
噪声
射频热噪声
- 1 – 50 GHz
- 低至0.2dB的NFmin
- 可编程的微波调谐器
- 测量NFmin、Rn、Yopt和NF50
1/f闪烁噪声
- 频率范围从0.03 Hz到40 MHz
- 噪声测量低至0.67 nV/sqr(Hz) @ 10 kHz
- 25个阻抗值，从0Ω 到100MΩ
- 电流/电压/功率范围分别高达0.1 A/200 V/10 W
- 支持的器件包括BJTs、FETs、二极管、电阻和电路（运算放大器、比较器等）
随机电报信号噪声(RTS, RTN)
- 噪声的时域表示
- 电流和电压柱状图
- 支持的器件包括BJTs、FETs、二极管、电阻和电路（运算放大器、比较器等）
- 2.5 ns的最小时间间隔
- 采样量高达1600万个噪声
材料表征
氧化物-衬底电荷
- 平带电容和电压
- 氧化物厚度
- 有效的和总的体硅氧化物电荷
- 衬底掺杂浓度
介质
- 介电常数
- 损耗角正切
四点式探头
- 方块电阻
- 块体电阻率
自加热
SOI MOSFET和GaN HEMT的热阻提取
- 脉冲测量
- 射频测量
- 建模
材料和样品
材料
硅：体硅、SOI、富含陷阱、多孔硅、SiC、SiGe ...
III-V: GaN, GaAs ...
电介质：石英、熔融石英 ...
压电材料：LiTaO3, LiNbO3, ZnO ...
二维：石墨烯，hBN ...
相变材料：二氧化硫、GeTe ...
样品
尺寸：从单颗芯片到300mm的晶圆
形状：从小片晶圆或整个晶圆