光学表征

拉曼光谱

Raman1
  • 高分辨率共聚焦显微镜
  • 800 mm 焦距
  • 横向分辨率低于1μm
  • 激光波长 458, 488, 514 & 633 nm
  • 溫度 从-196°C 到 +600°C
  • 图谱分析,包括化学成分、相位、结晶度和应变等

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拉曼光谱是一种光学非破坏性表征技术,用于分析包括半导体和薄膜在内的众多材料,无需或仅需少量样品制备。获得的信息极为丰富,可用于识别材料的组成、应力和张力、掺杂浓度和物相形成。

自从1928年C.V.拉曼爵士发现拉曼效应以来[1],激光技术的进步和高选择性滤光片的制造使拉曼仪器得到了快速发展。今天,高分辨率透镜、光栅和探测器的使用使得拉曼效应在结构和材料中的表征可以达到微米和纳米尺寸。

对我们的客户来说,Incize对用于表征的材料和样品提供高分辨率的拉曼光谱,空间分辨率低至~1微米。我们配备了四种激光波长,458、488、514和633纳米,以及一个X-Y-Z的电动平台,可以进行微拉曼分析,如众多材料的化学成分、相位、结晶度和张力,其中包括半导体工业中最常用的材料(Si, Poly-Si, Ge, SiGe, GaN),二维材料(石墨烯,hBN),相变材料(VO2, V2O5, GeTe)和压电材料(LiNbO3, LiTaO3, ZnO)。我们还提供了在-196℃至600℃范围内进行拉曼温度测量的可能性。

[1] C.V. Raman and K.S. Krishnan, “A new type of secondary radiation”, Nature, vol. 121, pp. 501–502, 1928

光电导

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  • 硅光伏的光导率和电阻率测量方法 2 ... 1000 Ω/□
  • 少数载流子密度和寿命 100 ns ... 10 ms
  • 用于短载流子寿命的QSS
  • 用于长载流子寿命的 TPCD

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光电导是某些材料的一种特性,在吸收光的情况下,其导电性会发生变化。 在一个典型的光导实验中,通过用激光源或闪光灯的光照射样品,产生过量的自由载流子。该技术特别适用于测量硅光伏晶片的光电导率和电阻率,范围从2到1000Ω/□,也适用于提取少数载流子密度和少数载流子寿命 (100 ns < τ < 10 ms).

根据要测量的电阻率和载流子寿命的范围,有几种类型的光照,包括恒定的光照(稳态),光脉冲(瞬时衰减),或时间变化的光照强度(准稳态)。

椭圆偏振技术

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  • 宽光谱范围 从 280 nm 到 2500 nm
    UV / Vis / NIR
  • 精确的薄膜厚度分析
    单层和多层样品
  • 光学参数的表征
    包括折射率、消光系数
    和介电常数
  • 种类繁多的材料:绝缘体 (SiO2 , Si3N4 ), 半导体 (Si,Ge, SiC) 和 金属 (Al, Ag, Au, Cu, Cr)

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椭圆偏振法是一种非破坏性的光学技术,它测量薄膜或分层材料中特定角度入射光和反射光之间的偏振状态的相对变化。通过对测量的光谱使用适当的拟合模型,可以确定几个材料参数,如层厚、折射率、光学吸收和消光系数。椭圆偏振法的测量非常精确,根据材料的不同,可以测量从几个埃(Å,1Å=0.1nm)到几个微米(um)的厚度。

包括多数绝缘体(SiO2, S3N4, ...)、半导体(Si, Ge, SiC, ...)和金属(Al, Ag, Au, Cu, Cr, ...)在内的大量材料可以使用280至2500纳米的光波长(紫外/可见/近红外)进行表征。