洁净室
服务包括
- 金属化
- 湿法和干法刻蚀
- 光刻和电子束光刻
- 激光和聚焦离子束
- 溅射&热蒸发沉积
- PCD, PECVD, LPCVD & ALD
- 后段工艺和封装
- 扫描电镜, 透射电镜, 轮廓测量仪, 纳米压痕硬度测试仪
材料
- 衬底: Si, III-V, porous, quartz, ...
- 金属: Al, Ag, Au, Ti, Ni, Cr, Pd, ...
- 电介质 : Si3N4, SiO2, Al2O3, TiO2, HfO2, …
- 有机聚合物
样品
- 形状: 从整晶圆到小片晶圆
- 尺寸: 从单颗芯片到6/8英寸晶圆
例如
去除顶层薄膜
- Active Si 有源硅
- GaN & AlGaN
- BOX 埋氧
测试结构图形
- 共面波导
- 无源结构
- 单层或双层金属层
厚介质层上的无源器件
- 介质厚度: 从1 um 到 20 um
- 材料: Pi, BCB ...
设施介绍
面积: 1000 m²
级别: < 10级净化间
设备: 50台最先进的设备
设备用于: 表面图案化、薄膜沉积、刻蚀和后段工艺
工作内容 ： SOI-CMOS，薄膜表征，集成， 光伏、MEMS-NEMS、传感器、生物技术， 多孔硅，有机电子和纳米电子技术。