我们的专业知识、能使用到最先进的设备以及与欧洲各地实验室的合作,使我们能够为衬底生产商设计公司代工厂提供广泛的电学表征服务。从材料到器件,包括有源和无源、三五族化合物、晶圆级和封装级,从直流到毫米波频率,我们的表征服务是针对特定应用的,并根据客户的要求进行“量身定制”。

射频

INCIZE sprl
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大信号

  • 谐波(单音信号)、互调(双音信号)和功率处理
  • 输入功率高达49 dBm
  • 本底噪声 -170 dBm

小信号

  • S参数可高达 130 GHz
  • 5Hz以上低频
  • 射频品质因数

5G毫米波

  • 小信号&大信号
  • 适应性校准技术
  • 特定应用

温度

  • 极低温可达到-270°C (4 K)
  • 载片台温度,最高可达225°C

衬底表征

线性度

harmonics

衬底FoM

elec_charac_effres

互调

elec_charac_imd

串扰

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噪声

射频热噪声

  • 1 – 50 GHz
  • 低至0.2dB的NFmin
  • 可编程的微波调谐器
  • 测量NFmin、Rn、Yopt和NF50
INCIZE sprl

1/f闪烁噪声

  • 频率范围从0.03 Hz到40 MHz
  • 噪声测量低至0.67 nV/sqr(Hz) @ 10 kHz
  • 25个阻抗值,从0Ω 到100MΩ
  • 电流/电压/功率范围分别高达0.1 A/200 V/10 W
  • 支持的器件包括BJTs、FETs、二极管、电阻和电路(运算放大器、比较器等)

随机电报信号噪声(RTS, RTN)

  • 噪声的时域表示
  • 电流和电压柱状图
  • 支持的器件包括BJTs、FETs、二极管、电阻和电路(运算放大器、比较器等)
  • 2.5 ns的最小时间间隔
  • 采样量高达1600万个噪声

材料表征

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氧化物-衬底电荷

  • 平带电容和电压
  • 氧化物厚度
  • 有效的和总的体硅氧化物电荷
  • 衬底掺杂浓度

介质

  • 介电常数
  • 损耗角正切

四点式探头

  • 方块电阻
  • 块体电阻率

自加热

SOI MOSFET和GaN HEMT的热阻提取

  • 脉冲测量
  • 射频测量
  • 建模
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材料和样品

Silicon Wafers in white plastic holder box on table ,background is white color- A wafer is a thin slice of semiconductor material, such as a crystalline silicon, used in electronics for the fabrication of integrated circuits.Wafers with microchips.Rainbow on silicon wafers.Color silicon wafers with glare.

材料

:体硅、SOI、富含陷阱、多孔硅、SiC、SiGe ...
III-V: GaN, GaAs ...
电介质:石英、熔融石英 ...
压电材料:LiTaO3, LiNbO3, ZnO ...
二维:石墨烯,hBN ...
相变材料:二氧化硫GeTe ...

样品

尺寸:从单颗芯片到300mm的晶圆
形状:从小片晶圆或整个晶圆

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