Mostafa Emam, 博士

Mostafa Emam （IEEE M’10, IEEE SM’16）于2001年获得埃及开罗艾因夏姆斯大学的电子和通信工程学士学位，2005年获得法国图卢兹国家理工学院（INP）的电子和信号处理工程师文凭，以及微电子电路和系统设计的硕士学位。2010年，他在比利时鲁汶大学（UCL）电子工程系信息和通信技术、电子和应用数学研究所（ICTEAM）获得工程科学博士学位。2006年至2010年，他在UCL担任研究员，从事MOSFETs的宽带表征和建模工作。

他的研究方向包括SOI器件在直流、射频、大信号和高频噪声、恶劣环境应用和机械应力条件下的特性和建模，以及射频SOI电路的设计和仿真。

Emam博士是IEEE高级会员，是40多篇科学文章和书籍章节的作者和合著者，也是多个IEEE期刊的评审员。从2015年到2018年，他担任技术主席（SubVt track），2019年担任IEEE国际S3S会议的总主席。

自2011年以来，他是因赛斯Incize的创始人，这是一家从UCL成功孵化出来的创业公司，为所有业务领域的器件和材料提供创新的表征和建模服务。

Gilles Scheen, 博士

Gilles Scheen 在比利时列日大学获得了物理工程（光电子方向）硕士学位。2015年，他获得了比利时克卢万大学的微技术博士学位。他的博士研究重点是用于传感应用的多孔硅的后工序集成。在此期间，他在不同的科学杂志上发表论文，并参加了许多国际会议。

他的研究方向包括，用于各种应用的多孔硅集成，研究重点是射频微电子，（多孔）半导体表征的创新技术。

2019年9月，他作为高级工程师加入因赛斯Incize。

Christophe Pavageau, PhD

Christophe Pavageau received the Diplôme d’Ingénieur degree from Ecole Supérieure d’Electronique de l’Ouest (ESEO), Angers, France in 2002 and the Ph.D. degree in microelectronics from Lille University, France, in 2005. From 2002 to 2005, he worked on the assessment of CMOS SOI technologies for mmWave communications for the French-based research centers of IEMN, Lille and CEA, Paris.

In November 2005, he joined IMEC, Leuven, Belgium, where he was designing RF and mmWave IC on advanced CMOS fabrication processes, in particular for 60GHz phased-array communications. In 2008, he joined DelfMEMS, Lille, a French-based technology company developing RF MEMS switches where he has held the positions of RF principal engineer and design team manager. In 2017, he joined Stormshield, Lille, a European network security provider, as Product Regulatory Compliance and Quality Manager.

Dr Christophe Pavageau has two patents and authored scientific papers in peer-reviewed journals, international conferences and workshops.

In June 2022, he joined Incize as a senior engineer.

Fiona Bellin, 硕士

Fiona Bellin于2017年首先在卡昂大学（法国）获得了心理学学士学位，并决定继续在莱斯特大学（英国）进行职业心理学的远程学习项目，获得硕士学位。她于2020年毕业，获得职业心理学硕士学位。

她的兴趣是为团队成员谋取福利，协助公司管理业务和团队，以及支持CEO的行政办公室工作。

2021年8月，Fiona Bellin 加入因赛斯Incize，担任行政助理。

Marianne Renoz, 硕士

Marianne Renoz于2013年在鲁汶大学（UCL）获得了她的第一个英中法翻译硕士学位，随后在上海外国语大学学习了为期一年的高级汉语。

随后，她继续深造，于2015年获得英国谢菲尔德大学东亚商务专业的第二个硕士学位，并于2016年获得伊切克布鲁塞尔管理学院的管理学文凭。

毕业后，2017年1月，Marianne Renoz首次加入Incize，成为商务拓展部的实习生，并对东亚市场进行了深入地探索与研究。实习结束后，她在华为技术公司工作了三年多。同时，她还参加了电信技术和商业的远程学习课程。

2021年7月，Marianne Renoz重新加入Incize，成为一名全职的国际商务拓展专员。

Benjamin Huet, 博士

Benjamin Huet 2013年，在比利时鲁汶天主教大学（UCL）获得了材料科学与工程的硕士学位。从2013年至2017年，他在UCL的电学工程系继续攻读博士学位。他的博士研究重点是石墨烯的合成、转移和整合，石墨烯是一种二维（2D）导电材料。他作为博士后研究员又在UCL呆了8个月，开发生产六方氮化硼（h-BN）的工具，这是一种二维绝缘材料，在下一代（光）电子学方面显示出巨大的前景。

2018年，他加入了美国宾夕法尼亚州立大学（PSU）的应用研究实验室（ARL），以获得更多关于石墨烯和h-BN生产和加工的专业知识。2019年，他加入了PSU的材料研究所（MRI），开展了另一个博士后项目，参与了二维过渡金属二氯化物（二维半导体）的生产，并开发了一种在可控气氛下进行拉曼光谱和光致发光的工具。2020年5月，他被晋升为PSU的助理研究教授。他在同行评议的国际期刊上发表了多篇论文，并在>10个国际会议上发表了他的研究成果。

他的研究方向包括新型材料的制造和表征，以促进其在未来电子技术中的整合。

2021年4月，他回到比利时，加入因赛斯Incize，担任研发工艺工程师。

杨艺菲，硕士

杨艺菲于2015年在中国云南大学获得第一个对外汉语教学硕士学位。2015年至2017年，她在中国昆明的一家化妆品公司担任总经理助理。2017年，她前往法国尼斯攻读第二个硕士学位，在欧洲培训国际中心（CIFE）主修欧洲一体化和全球研究。毕业后，她在中国常州一家新成立的教育公司担任市场经理。2020年1月，杨艺菲前往巴黎，在法语联盟提高她的法语知识。

2020年4月，杨艺菲加入因赛斯Incize，担任亚太区的商务拓展。

Ferran Ureña i Begara, 博士

Ferran Ureña i Begara 拉于1992年在西班牙巴塞罗那加泰罗尼亚理工大学的Escola Universitària d’Enginyeria Tècnica Industrial de Barcelona获得工业电子的技术工程学位。1993年至2007年，他任职于西班牙巴塞罗那Pere Barnils de Centelles学院，教授计算机和电子技术，他也是计算机和网络系统的主管。2008年，他获得了英国纽卡斯尔大学电学和电子工程学院的微电子学硕士学位，2009年，他获得了西班牙贝拉泰拉的巴塞罗那自治大学高级工程学院的微纳米电子学硕士学位。他于2013年在英国纽卡斯尔大学电学和电子工程学院获得博士学位。 在博士期间，他致力于通过拉曼光谱和原子力显微镜（AFM）对硅纳米结构的应变进行建模和表征。

2013年，费兰博士作为博士后加入比利时鲁汶大学信息和通信技术、电子和应用数学研究所，在那里他参与了相变材料和二维材料的制造、分析和表征，使用拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子光谱（XPS）。

他的研究方向是通过使用光学和原子光谱技术，对微观和纳米尺度的内在材料特性进行建模和表征。

2017年1月，他加入因赛斯Incize，担任高级研究科学家。

Khaled Aouadi, 硕士

Khaled Aouadi 2003年在法国格勒诺布尔的ENSERG-INPG获得半导体元件的硕士学位，并于2005年在法国格勒诺布尔的Joseph Fourier大学获得科学和材料工程的硕士学位。2004年4月至2004年9月，他在法国Crolles的STMicrolectronics实习。他在研发过程中的金属团队工作。开发和测试用于接触金属化的新型低电阻率钨薄膜的工艺。

从2005年10月到2010年3月，他在突尼斯的意法半导体公司担任物理设计套件项目工程师。作为项目管理和质量负责人，他负责为各种技术（BiCMOS / HCMOS / SIGE / SOI）开发设计套件和布局验证，并确保最终产品的质量。2010年4月至2013年7月，他在位于比利时新鲁汶的ICTEAM研究所担任研究工程师。他负责用于质子治疗光束监测的新型硅传感器的设计和工艺。并负责表征工作和在晶圆上的电学测量和质子束下的测试。自2018年8月起，他作为自由职业者，从事电学工程工作。

2019年12月，他加入因赛斯Incize，担任射频工程师。

Romain Tuyaerts, 博士

罗曼·图亚茨在比利时鲁汶天主教大学UCLouvain获得了物理工程的硕士学位（纳米技术）后，在2018年后又在UCLouvain获得材料科学博士学位，主要研究通过反应性溅射沉积的透明导电氧化物的微观结构、机械、光学和电学性能之间的耦合。

他目前的研究方向包括微加工技术，以及多孔硅在各种应用中的整合，如射频微电子。

2020年10月，他作为高级工程师加入因赛斯Incize。

Clara Whyte Ferreira, 博士生

Clara Whyte Ferreira 在2021年获得了巴西圣保罗大学（USP）和比利时鲁汶天主教大学（UCLouvain）颁发的化学和材料工程双学位。随后，她又获得了鲁汶大学的理学硕士学位。

在大学学习之前，她曾学习了三年的管理和创业技术课程，并于2014年获得了巴西SEBRAE/MG技术管理学校的文凭。

在本科学习期间，她从Escola Politécnica da USP整合了三年的初级企业，在那里她成为了化学工程系的协调员。

在2018年和2019年之间，她在圣保罗大学进行了一个研究项目，使用不同金属促进的碳纳米管进行催化作用。在这个项目期间，她还在德国慕尼黑工业大学进修了四个月，以此进一步发展研究项目。

在UCLouvain，在她的硕士论文框架内，她研究了硅膜在生物传感方面的应用。随后，她获得了鲁汶大学校友会颁发的最佳硕士论文展示奖。

2021年10月，她作为博士生加入Incize，研究使用纳米结构表面对有机分子、生物标志物和其他分析物进行质谱特性分析。

Amin Rassekh, PhD

Amin Rassekh received his M.Sc. degree in electrical engineering-electronics (Micro-Nanoelectronic devices) from the Sharif University of Technology, Tehran, Iran, in 2015. He received his Ph.D. degree in electrical engineering-electronics (Solid-State Electronics) from the Device Simulation and Modeling Laboratory, University of Tehran, Tehran, Iran in 2020. During his Ph.D., he worked on modeling, simulation, and optimization of advanced MOSFET Devices. In the years 2019-2020, he joined as an exchange Ph.D. student at the Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Switzerland. During this time, he was working on the modeling of FETs in harsh environments at the Electron Device Modeling and Technology Laboratory (EDLAB) and then he joined the Nanoelectronic Devices Laboratory (NANOLAB) in the same institute focusing on modeling the different types of advanced CMOS devices for low power applications. From 2020 to 2022, he was doing collaborative research with EDLAB, focusing on the modeling of low-power CMOS devices and the modeling of CMOS-based quantum-dot spin qubits.

His current research interests include solid-state physics, characterization, simulation, and modeling of advanced semiconductor devices.

Dr. Rassekh has a US-Patent disclosing a method for communication at the speed of light over an on-chip interconnect. He is the author and co-author of several scientific papers in peer-reviewed journals and a reviewer for IEEE journals.

In November 2022, he joined Incize as a Senior Modeling Engineer.

Laurent Petitjean, MSc

Laurent Petitjean received his BSc in Applied Electronics in 2019 from the “Haute Ecole de Liège” in Liège, Belgium, and obtained his MSc in Electronics in 2023 from the “Haute Ecole de la Province de Liège” in Liège, Belgium.

From September 2019 to September 2020, he worked as a Test Product Engineering Technician at Teleste, focusing on the ongoing improvement of the Passive and Indoors product range.

In September 2023, he joined Incize as Junior Engineer.

Ruidong Qin, MSc